DMN2016UTS 时间：2025/5/30 21:28:23 阅读：9

DMN2016UTS 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该器件采用了微型封装设计，适合用于需要高效率和低功耗的应用场景。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。DMN2016UTS 常用于便携式设备中的负载开关、电源管理模块以及保护电路中。
　　该芯片采用 U-DFN2016-6（SOT883）封装形式，这种封装具有极小的外形尺寸，非常适合对空间要求较高的应用场合。

参数

最大 drain-source 电压：30V
　　最大 gate-source 电压：±8V
　　连续 drain 电流：1.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
　　栅极电荷：1.9nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：U-DFN2016-6（SOT883）

特性

DMN2016UTS 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频开关应用。
　　3. 小巧的封装尺寸，可有效节省 PCB 空间。
　　4. 高度稳定的电气性能，能够在较宽的工作温度范围内保持一致性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
　　6. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性。

应用

DMN2016UTS 广泛应用于以下领域：
　　1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
　　2. USB 端口保护和电源管理。
　　3. 电池供电系统的充电控制和放电管理。
　　4. LED 驱动电路和小型电机驱动。
　　5. 数据通信接口保护及信号切换。
　　6. 各种消费类电子产品中的保护电路和功率管理模块。