时间：2025/12/26 8:30:32
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DMN2015UFDE-7是一款由Diodes Incorporated生产的单通道N沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件封装在较小的1.2mm x 1.2mm DFN1212封装中，适用于空间受限的便携式电子设备。DMN2015UFDE-7具有低导通电阻（RDS(on)）特性，在VGS = 4.5V时典型值为15mΩ，这使得它在低电压、大电流开关应用中表现出色。其最大漏源电压（VDS）为20V，最大连续漏极电流（ID）可达3.8A，适合用于负载开关、电源管理开关以及电池供电设备中的高效能开关控制。由于采用了DFN（Dual Flat No-lead）封装，该MOSFET具备良好的热性能和电气性能，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适用于消费类电子产品、移动设备、可穿戴设备及物联网终端等对尺寸和能效有高要求的应用场景。
型号：DMN2015UFDE-7
类型：N沟道MOSFET
封装：DFN1212
通道数：1
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）@25°C：3.8A
脉冲漏极电流（IDM）：15A
导通电阻RDS(on)@4.5V VGS：15mΩ
导通电阻RDS(on)@2.5V VGS：22mΩ
阈值电压（Vth）：0.6V ~ 0.9V
输入电容（Ciss）：330pF @ 5V VDS
开启时间（Turn-On Time）：约10ns
关闭时间（Turn-Off Time）：约20ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
热阻θJA：180°C/W
热阻θJC：45°C/W
DMN2015UFDE-7采用先进的TrenchFET技术，这种技术通过优化沟道结构显著降低了导通电阻，从而提高了器件的整体效率。其超低的RDS(on)值使其在低电压操作条件下依然能够实现高效的能量传输，减少功率损耗和发热问题。该MOSFET在VGS = 4.5V时的导通电阻仅为15mΩ，而在更低的2.5V驱动电压下也能保持22mΩ的低阻状态，展现出优异的低压驱动能力，非常适合使用3.3V或1.8V逻辑信号直接驱动的应用场合。
该器件的小型DFN1212封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热性能。底部带有裸露焊盘的设计有助于将热量快速传导至PCB，提升整体热稳定性。此外，DFN封装没有引脚伸出，降低了寄生电感，有利于高频开关操作下的电磁兼容性表现。该MOSFET具备较低的输入电容（Ciss约为330pF），意味着在开关过程中所需的驱动功率较小，进一步提升了系统能效。
DMN2015UFDE-7具有较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C），确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行。其栅氧化层设计可承受±12V的栅源电压，具备一定的过压耐受能力，增强了系统的可靠性。同时，该器件的阈值电压范围为0.6V至0.9V，属于低阈值类型，能够在较低的控制信号电压下迅速开启，响应速度快，适合用于高速开关电路。综合来看，这款MOSFET以其小型化、高效率、低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于现代便携式电子设备中。
DMN2015UFDE-7主要用于需要高集成度与高效能转换的小型电子设备中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的电源管理模块，如电池充放电路径控制、负载开关、电源域切换等。其低导通电阻和小封装特性使其成为理想的选择，尤其适用于电池供电系统中对能效和空间布局有严格要求的设计。
在便携式医疗设备、无线传感器节点以及物联网终端中，该MOSFET可用于切断未使用模块的电源以降低待机功耗，实现精细的电源管理策略。此外，它也常被用作LED背光驱动电路中的开关元件，或者在DC-DC转换器中作为同步整流管或高端/低端开关使用，以提高转换效率。
由于其良好的热性能和表面贴装封装，DMN2015UFDE-7也非常适合用于密集布线的高密度印刷电路板设计中。在热插拔电路或USB接口电源控制中，它可以有效防止浪涌电流，保护后级电路安全。总之，凡是需要微型化、低功耗、高效率开关功能的电子系统，都是DMN2015UFDE-7的理想应用领域。
DMG2015UFG-7
FDN335N
AOZ8801CI
