型号：DMN2013UFX-7
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.9A（@TC=70°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：19.6A
　　最大栅源电压（VGSS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：23mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 1.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值5.8nC @ VDS=10V, ID=2.45A
　　输入电容（Ciss）：典型值290pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值5ns
　　上升时间（tr）：典型值20ns
　　封装类型：SOT-23F（或等效小型封装）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻（RθJA）：典型值250°C/W
　　极性保护功能：具备Polarity Protection?技术

DMN2013UFX-7的核心优势在于其卓越的导通性能与紧凑的封装设计之间的完美平衡。该器件采用先进的TrenchFET工艺，这种垂直沟道结构显著提升了单位面积下的载流能力，同时大幅降低导通电阻。其在VGS=4.5V条件下仅18mΩ的RDS(on)值意味着在大电流传输过程中能量损耗极低，这对于延长电池寿命至关重要。更重要的是，即使在较低的驱动电压（如2.5V）下，其导通电阻仍保持在23mΩ的优异水平，这使得它能够兼容3.3V甚至更低电压逻辑控制信号，广泛适用于现代低压数字系统。该MOSFET的阈值电压范围为0.6V至1.0V，确保了在微控制器I/O直接驱动时也能实现可靠开启，无需额外电平转换电路。
　　另一个关键特性是其极低的栅极电荷（Qg），典型值仅为5.8nC。这一参数直接影响开关速度和驱动功耗，在高频开关应用中尤为重要。低Qg意味着更短的开关时间和更低的驱动功率需求，有助于提升电源系统的整体效率并减少热积累。配合典型的输入电容290pF，该器件展现出优异的高频响应能力，适合用于高达数MHz的开关频率场景。此外，器件具备快速的开启延迟时间（5ns）和上升时间（20ns），进一步支持高速切换操作，减少交叉导通风险。
　　Polarity Protection?技术是DMN2013UFX-7的一项独特功能，允许器件在电源反接情况下阻止反向电流流动，从而保护后级电路免受损坏。这项集成保护机制替代了传统外加分立二极管的做法，节省了PCB空间并简化了设计流程。该器件的工作结温可达+150°C，并具备良好的热稳定性，结合SOT-23F封装的优化散热设计，可在高负载条件下长期稳定运行。所有这些特性共同使DMN2013UFX-7成为追求高性能、小型化和高可靠性的电源管理方案的理想选择。

DMN2013UFX-7因其小尺寸、低导通电阻和高开关速度，被广泛应用于多种便携式和高密度电子设备中。最常见的用途之一是作为负载开关，用于控制电源路径的通断，例如在移动设备中启用或禁用某个子系统（如摄像头模块、显示屏背光或无线通信芯片），以实现节能管理。其低RDS(on)确保了在导通状态下压降极小，避免不必要的功率浪费。
　　在同步整流型DC-DC转换器中，该MOSFET常被用作低边开关，替代传统的肖特基二极管，显著提高转换效率。特别是在升压（Boost）、降压（Buck）或反激式（Flyback）拓扑中，其快速开关特性和低栅极驱动需求使其非常适合高频操作，有助于缩小外围元件（如电感和电容）的体积，从而实现更高功率密度的设计。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，利用其双向阻断能力和低损耗特性来提升能效。在电机驱动应用中，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，DMN2013UFX-7可用于构建半桥结构，实现精确的速度和方向控制。其SOT-23F封装便于自动化贴装，适合大规模生产，广泛用于消费类电子产品，如TWS耳机、智能手表、POS机、USB充电器、LED驱动模块以及各类IoT终端设备。

DMG2013UFX-7
　　BSS138LT1G
　　FDS6680A