时间：2025/7/11 21:38:37
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DMN2009LSS-13 是一款 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 (MOSFET)，采用小型表面贴装封装设计，适用于需要高效功率切换和低导通电阻的应用场景。该器件具有出色的开关性能和热稳定性，适合于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
其封装形式为 LFPAK88，能够提供良好的散热性能和电气连接可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：7.2A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：11nC
总电容：360pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
DMN2009LSS-13 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保高效率和减少功耗。
2. 快速开关能力，支持高频应用。
3. 高度集成的小型封装设计，节省 PCB 空间。
4. 优秀的热性能表现，有助于提升系统的稳定性和可靠性。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的使用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该 MOSFET 广泛应用于多种领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类电机驱动和控制电路。
3. LED 照明系统中的驱动和保护。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 消费类电子产品中的信号处理与功率管理模块。
DMN2009USG-13, DMN2009LSS-7
