类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　连续漏极电流（ID）：-1.9A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.8A
　　功耗（PD）：500mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-65℃ ~ +150℃
　　结温：+150℃
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻RDS(on)：最大45mΩ @ VGS = -4.5V；最大60mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值-0.85V，范围-0.6V ~ -1.2V
　　输入电容（Ciss）：典型值170pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
　　反向传输电容（Crss）：典型值25pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
　　输出电容（Coss）：典型值190pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值10ns
　　转换时间（tf）：典型值5ns
　　封装形式：SOT-363 (SC-88)
　　通道数：双通道
　　极性：P沟道

DMN2005LPK-7作为一款高性能P沟道MOSFET，在多个关键性能指标上表现出优异的电气特性，特别适用于低电压、低功耗的应用场合。
　　首先，该器件具有非常低的导通电阻（RDS(on)），在VGS = -4.5V时最大仅为45mΩ，而在更低的驱动电压VGS = -2.5V下也能保持在60mΩ以内。这种低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率，尤其适合电池供电设备以延长续航时间。同时，低RDS(on)也意味着在大电流切换时发热更少，有助于提升系统稳定性和可靠性。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽技术制造，使得单位面积内可实现更高的载流子迁移率，从而优化了开关性能和热管理能力。其输入电容（Ciss）仅为170pF左右，配合较小的反向传输电容（Crss = 25pF）和输出电容（Coss = 190pF），确保了快速的开关响应速度，开启延迟时间仅约4ns，关断延迟时间为10ns，非常适合高频开关应用，如DC-DC转换器中的同步整流或负载开关控制。
　　再者，DMN2005LPK-7具备良好的栅极阈值电压特性，典型值为-0.85V，且可在-0.6V至-1.2V范围内稳定工作，这意味着它可以用3.3V甚至1.8V逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并节省PCB空间。
　　此外，该器件内置一定的ESD防护能力，HBM模型下可达2kV以上，提升了在装配和使用过程中的抗静电冲击能力。双通道结构允许在一个紧凑封装内集成两个独立的P沟道MOSFET，极大提高了板级集成度，适用于对尺寸敏感的设计需求。综合来看，DMN2005LPK-7凭借其小尺寸、低功耗、高效率和易驱动等优势，成为现代便携式电子设备中理想的功率开关解决方案。

DMN2005LPK-7主要应用于各类需要小型化、低功耗和高集成度的电子系统中。常见用途包括移动设备中的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑中的背光驱动电路、摄像头模组供电控制以及外设接口的电源开关管理。由于其P沟道特性，常被用作高边开关来控制负载的通断，避免使用复杂的电荷泵驱动电路，从而降低系统成本和设计难度。在电池供电系统中，该器件可用于电池反接保护、过流保护电路以及多电源路径选择开关，确保系统安全运行。此外，它也被广泛用于便携式医疗设备、智能手表、无线耳机等可穿戴产品中，执行传感器模块或通信单元的电源启停控制，以实现动态功耗管理。在工业自动化和物联网终端设备中，DMN2005LPK-7可用于信号路由、I/O扩展芯片的驱动接口以及低电压逻辑电平转换电路。由于其支持无铅回流焊工艺并符合RoHS标准，适用于自动化贴片生产线，满足现代电子产品绿色制造的要求。其双通道设计还使其适用于需要冗余控制或双路独立控制的应用场景，如双路LED调光控制、双电池切换管理等。总体而言，DMN2005LPK-7凭借其优异的电气性能和紧凑封装，是现代高密度电子设计中不可或缺的关键元件之一。

DMG2005LFG-7
　　DMP2005UFG-7
　　Si3455DV-T1-E3
　　FDMQ3405