DMN2004WK 时间：2025/5/30 15:41:44 阅读：7

DMN2004WK是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用微型DFN封装，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备、负载开关、同步整流以及电机驱动等应用场合。
　　这款MOSFET的工作电压范围为-0.3V至20V，其设计优化了栅极驱动要求，并且具备较低的静态功耗，能够有效提升系统的效率和可靠性。

参数

最大漏源电压：20V
　　连续漏极电流：1.7A
　　导通电阻（典型值，在Vgs=4.5V时）：100mΩ
　　栅极电荷（典型值）：8nC
　　总电容（输入电容）：96pF
　　开关时间（典型值）：ton=15ns，toff=15ns
　　工作结温范围：-55℃至150℃
　　封装形式：DFN1010B-3

特性

DMN2004WK采用了先进的制程技术，实现了超低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提升了整体效率。
　　此外，它还具有以下特点：
　　1. 极低的栅极电荷使得开关速度更快，适用于高频应用。
　　2. 小尺寸封装（1mm x 1mm），非常适合空间受限的设计。
　　3. 高度可靠的电气性能，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定。
　　4. 支持逻辑电平驱动，简化了电路设计并降低了对驱动器的需求。
　　5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。

应用

DMN2004WK广泛应用于多种消费类电子产品的电源管理方案中，包括但不限于：
　　1. 智能手机和平板电脑中的负载开关。
　　2. USB接口保护与切换电路。
　　3. 各种便携式设备的电池管理模块。
　　4. 同步整流器及小型直流电机驱动控制。
　　5. 开关电源适配器或充电器中的功率级元件。
　　由于其小体积和高性能表现，特别适合需要紧凑设计的应用场景。