时间：2025/8/2 8:55:50
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DMN2004WK-7 是一款由 Diodes 公司制造的双 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的 Trench MOS 工艺，专为高效能功率管理应用而设计。这款 MOSFET 通常用于负载开关、电源管理和电池供电设备中的高效能开关电路。DMN2004WK-7 采用 6 引脚 SC-70 封装，适合空间受限的应用场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流处理能力以及良好的热稳定性，适用于便携式电子设备、计算机外围设备和工业控制系统。
类型：双 N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：5.2A（每个通道）
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=2.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：6-引脚 SC-70
DMN2004WK-7 MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势，首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。在 Vgs=4.5V 时，Rds(on) 仅为 35mΩ，而在较低的 Vgs=2.5V 时，Rds(on) 为 45mΩ，这种特性使其适用于多种驱动电压条件。
该器件的双 N 沟道结构允许两个独立的通道同时工作，提供更高的电流处理能力或实现复杂的开关拓扑。此外，DMN2004WK-7 的 20V 漏源电压额定值使其能够承受瞬态电压波动，从而增强电路的可靠性。
该 MOSFET 采用 6 引脚 SC-70 封装，具有较小的占板面积，非常适合高密度 PCB 设计。封装材料符合 RoHS 环保标准，并具备良好的热传导性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
另外，DMN2004WK-7 具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于工业级和消费类应用。其栅极驱动电压范围较宽，支持 2.5V 至 4.5V 的栅极驱动，适用于多种控制器和驱动电路。
DMN2004WK-7 主要应用于需要高效能、低功耗开关的电子系统中。例如，在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，DMN2004WK-7 可用于电源管理模块中的负载开关，实现高效的电源分配和节能控制。
在计算机外围设备中，如 USB 集线器、固态硬盘（SSD）和笔记本电脑电源适配器中，DMN2004WK-7 可用于 DC-DC 转换器和同步整流器，提高电源转换效率并减小系统尺寸。
此外，该器件还广泛应用于工业控制系统中的电机驱动、传感器接口和继电器替代方案，提供更高的可靠性和更长的使用寿命。其高电流处理能力和紧凑的封装形式也使其成为汽车电子系统中电池管理系统（BMS）和车载充电器的理想选择。
Si2302DS, 2N7002K, DMN2004WTC, DMN2004WFG, DMN2004UC
