时间：2025/5/8 11:43:09
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DMN2004TK是来自Diodes Incorporated的一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它属于低电压、高效率的功率开关器件，广泛用于电源管理领域。该器件采用SO-8封装形式，具有极低的导通电阻和快速的开关特性，适用于各种便携式设备和消费类电子产品的电源电路中。
最大漏源电压：-30V
连续漏极电流：-2.9A
导通电阻：125mΩ
栅极电荷：6nC
开关速度：典型值10ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
DMN2004TK具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了更高的转换效率并降低了功耗。
2. 快速的开关性能使其非常适合高频应用环境。
3. 小型SO-8封装便于设计者进行紧凑布局，并能够满足严格的PCB空间限制。
4. 高可靠性，在极端温度条件下也能稳定运行。
5. 具备出色的静电防护能力以增强系统的鲁棒性。
DMN2004TK常用于以下应用领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC转换器的功率开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑及笔记本电脑的电源管理模块。
5. LED驱动器和电机控制电路。
6. 各种保护电路，包括过流保护和短路保护。
DMN2004UF, DMN2004SK, DMN2004LKE
