时间：2025/5/13 11:33:43
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DMN14M8UFDF 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 UFQFN 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于电源管理、电机驱动和负载开关等应用。它在消费电子、工业设备以及通信领域中得到了广泛应用。
最大漏源电压：30V
最大连续漏电流：4.9A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极电荷（典型值）：7.5nC
开关时间（典型值）：6ns
封装类型：UFQFN
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
DMN14M8UFDF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适用于高频应用。
3. 超小型 UFQFN 封装设计，节省 PCB 空间。
4. 强大的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。
5. 具备优异的电气特性和鲁棒性，能够承受瞬态电压和电流冲击。
该器件的应用领域广泛，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
DMN14M8UFDE, DMN14M8UFD, DMN14M8UFDG
