时间：2025/7/11 18:31:56
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DMN10H220LVT-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种高效能功率转换应用。其封装形式为 SO-8（Small Outline），适合表面贴装，能够满足紧凑设计的需求。
这款 MOSFET 主要面向消费电子、通信设备以及工业控制等领域，能够实现高效的电流切换与电压调节功能。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻（典型值）：0.9Ω
栅极电荷：10nC
总电容：550pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMN10H220LVT-7 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，有助于降低开关损耗并提升整体效能。
3. 小型化封装 SO-8，便于 PCB 布局及节省空间。
4. 高耐压能力，能够承受高达 200V 的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
5. 宽广的工作温度范围，从 -55℃ 到 +150℃，适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
DMN10H220LVT-7 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. DC/DC 转换器的核心元件，用于电压调节。
3. LED 照明驱动电路，提供高效稳定的电流控制。
4. 电机驱动和控制电路，适用于小型电机或伺服系统。
5. 各类消费电子产品中的负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的信号处理与功率传输部分。
DMN10H220LVT, DMN10H220LDT, IRFZ44N
