时间：2025/5/22 0:04:56
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DMN10H220LE-13是一款由Diodes Incorporated制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用逻辑电平栅极驱动设计，适用于中低压应用场合。其封装形式为LFPAK88（Power-SO8），具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛用于电源管理、电机控制以及各种工业和消费类电子产品中。
这款MOSFET的工作电压范围较广，最大漏源极耐压为200V，能够满足多种电路需求。同时，它还具备优秀的热性能和电气特性，适合高效率、高密度的功率转换应用。
最大漏源极电压：200V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（在Vgs=10V时）
总功耗：1.4W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：LFPAK88（Power-SO8）
DMN10H220LE-13的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大漏源极电压可达200V。
2. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。
3. 逻辑电平栅极驱动，便于与微控制器或其他逻辑电路配合使用。
4. 快速开关速度，减少开关损耗。
5. 良好的热稳定性和耐用性，能够在极端温度条件下正常工作。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. 小型化封装，节省PCB空间，适合紧凑型设计。
DMN10H220LE-13适用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和初级开关。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动和控制，如步进电机、直流电机等。
4. 消费类电子产品的负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率级控制。
6. LED驱动电路中的功率开关元件。
7. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
DMN10H220LSE-13
