时间：2025/6/27 5:25:34
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DMN10H170SVT-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性。它适用于多种功率转换应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理电路。
该芯片采用 SO-8 封装形式，具有良好的散热特性和紧凑的尺寸，适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：23A
导通电阻：5.5mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：195pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
DMN10H170SVT-7 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频操作，适用于现代高效能功率转换电路。
3. 强大的雪崩能力，确保在异常条件下也能稳定工作。
4. 紧凑的 SO-8 封装设计，节省 PCB 布局空间。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
DMN10H170SVT-7 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
2. DC-DC 转换器和多相控制器。
3. 电池管理和保护电路。
4. 电机驱动和控制模块。
5. 负载开关和固态继电器。
6. 工业自动化设备中的电源管理单元。
其高性能和可靠性使其成为众多功率敏感型应用的理想选择。
DMN10H170S, DMN10H170LHT-7, IRFZ44N
