时间：2025/5/8 14:32:09
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DMN10H170SFDE 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SuperFET II 技术制造。该器件具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高能效的特点，适用于多种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。其封装形式为 SOIC-8，适合表面贴装技术 (SMT)，从而简化了生产流程并提高了可靠性。
该器件的工作电压范围较宽，能够承受高达 170V 的漏源极电压 (Vds)，同时提供低至 0.095Ω 的导通电阻 (典型值，在 Vgs=10V 的情况下)，从而显著降低了功率损耗。
最大漏源电压 (Vds)：170V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
连续漏电流 (Id)：10A
导通电阻 (Rds(on))：0.095Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗 (Ptot)：1.6W
结温范围 (Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：SOIC-8
1. 超低导通电阻设计，减少功率损耗，提升效率。
2. 高击穿电压 (170V)，确保在高压环境下的稳定性。
3. 极快的开关速度，降低开关损耗。
4. 具备良好的热性能，能够在高温环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 提供出色的 ESD 防护能力，增强器件的耐用性。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 工业设备中的负载开关和电机驱动控制。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
4. 汽车电子系统中的电源管理和信号切换。
5. 通信设备中的高效功率转换模块。
6. 各类消费类电子产品中的功率管理单元。
DMN10H170SFE, DMN10H170SFDE3
