时间：2025/6/25 21:03:09
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DMN10H120SE-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用SOT223封装形式，适用于多种功率转换和负载开关应用。其主要特点是低导通电阻和高击穿电压，适合需要高效能、低损耗的电路设计。
这款MOSFET在汽车电子、工业控制、消费类电子等领域有着广泛的应用场景，能够在高频工作条件下提供稳定的性能表现。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：0.16Ω
栅极电荷：35nC
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃至175℃
DMN10H120SE-13具备以下关键特性：
1. 高击穿电压（120V），能够承受高压环境下的工作需求。
2. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力，可适应高频应用场景。
4. 耐热增强型SOT223封装，提升散热性能。
5. 宽温度范围支持，确保在极端环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
该器件适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的开关元件。
3. 汽车电子设备中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
5. 消费类电子产品中的保护电路设计。
DMN10H120SE-13凭借其优异的电气性能和可靠性，是这些应用的理想选择。
DMN10H120SE-7,
IRFZ44N,
STP10NK60Z,
FDP12N120
