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DMN1029UFDB-7 发布时间 时间:2025/8/2 6:58:18 查看 阅读:21

DMN1029UFDB-7 是一款由 Diodes 公司(Diodes Incorporated)生产的 P 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的 TrenchFET 技术制造。该器件具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能,适用于电源管理、负载开关和 DC-DC 转换器等应用。DMN1029UFDB-7 采用超小型 6 引脚 SC-70(也称为 SOT-363)封装,适合空间受限的便携式电子产品。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  最大漏极-源极电压(VDS):-20V
  最大栅极-源极电压(VGS):±12V
  最大连续漏极电流(ID):-2.1A(@VGS= -4.5V)
  导通电阻(RDS(on)):85mΩ(@VGS= -4.5V)
  导通电阻(RDS(on)):140mΩ(@VGS= -2.5V)
  功率耗散(PD):1.5W(SC-70 封装)
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装:6-SC70(SOT-363)

特性

DMN1029UFDB-7 的主要特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这使得该器件在高电流应用中具有更低的导通损耗,从而提高系统效率。此外,该 MOSFET 采用了先进的 TrenchFET 工艺技术,能够在小封装中提供较高的电流承载能力。
  该器件的工作电压范围为 -20V,适用于多种低压电源管理系统。其栅极驱动电压范围宽广,支持 -2.5V 至 -4.5V 的控制信号,兼容多种控制器和逻辑电平。DMN1029UFDB-7 的封装为 SC-70(SOT-363),具有极小的 PCB 占用空间,适合用于便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路。
  该 MOSFET 具有良好的热稳定性,封装设计支持高效的热管理,确保在高负载下仍能保持稳定运行。其低栅极电荷(Qg)也有助于减少开关损耗,提高系统的整体能效。此外,该器件的可靠性高,符合工业级工作温度范围要求,可在 -55°C 至 150°C 的环境中稳定运行。

应用

DMN1029UFDB-7 主要应用于需要低导通电阻和小型封装的电源管理系统中。例如,它常用于电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器以及电源多路复用器等电路。此外,该器件也适用于各种便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、无线耳机、数码相机和可穿戴设备中的电源管理模块。
  在电源管理系统中,DMN1029UFDB-7 可用于控制电源路径,实现电池与外部电源之间的切换。在 DC-DC 转换器中,它可以用作同步整流器,提高转换效率并减少发热。此外,该 MOSFET 还适用于各种低电压、中等电流的开关应用,例如 LED 驱动器、电机控制器和传感器接口电路。

替代型号

Si7153DP-T1-GE3, BSS84LT1G, DMN2034LSD-13, ZXMP6002FFTC

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DMN1029UFDB-7参数

  • 现有数量178,816现货
  • 价格1 : ¥3.82000剪切带(CT)3,000 : ¥1.08532卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)12V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.6A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)29 毫欧 @ 5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)19.6nC @ 8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)914pF @ 6V
  • 功率 - 最大值1.4W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装U-DFN2020-6(B 类)