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DMN1019UFDE 发布时间 时间:2025/5/28 18:31:40 查看 阅读:10

DMN1019UFDE 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型化的 DFN3030-8 封装,适用于空间受限的应用场景。它具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关性能,非常适合用于高效能的电源管理电路、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备等应用。
  该器件在设计上注重优化功耗与散热性能,能够在高频率开关条件下提供稳定的运行表现。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.6A
  导通电阻:25mΩ(典型值,Vgs=4.5V)
  栅极电荷:8nC(典型值)
  总电容:700pF(输入电容,典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:DFN3030-8

特性

DMN1019UFDE 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提升整体效率。
  2. 快速开关性能,支持高频操作,减少开关损耗。
  3. 小尺寸 DFN3030-8 封装,节省 PCB 空间,特别适合紧凑型设计。
  4. 高浪涌能力,确保在瞬态条件下的可靠运行。
  5. 优异的热稳定性,即使在较高温度环境下也能保持稳定性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。

应用

DMN1019UFDE 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
  3. 各种负载开关应用,如 USB 端口保护。
  4. 电池供电设备中的电源管理。
  5. 电机驱动及小型化控制电路。
  6. 便携式消费类电子产品,例如智能手机和平板电脑的电源管理模块。

替代型号

DMN1019UJE, DMN1019UFCE

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