时间：2025/8/2 9:33:49
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DMN1004UFDF-7 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型 DF2 package（DFN1006 封装），适用于高密度和高性能的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高可靠性以及优良的热性能，适合用于负载开关、电源管理、电池供电设备和逻辑电路中的开关控制。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：-400mA
导通电阻（RDS(on)）：120mΩ @ VGS = -4.5V；140mΩ @ VGS = -2.5V
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：DFN1006（双侧散热焊盘）
DMN1004UFDF-7 的核心优势在于其低导通电阻（RDS(on)），这使得在开关过程中能量损耗最小化，从而提高整体系统效率。其P沟道结构允许其在负电压下工作，非常适合用于高端负载开关和电源管理系统。此外，该器件采用了先进的沟槽技术，提供了优良的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
DMN1004UFDF-7 采用 DFN1006 封装，具有较小的占板面积，适用于高密度 PCB 设计。该封装还具备良好的热管理能力，双侧散热焊盘有助于提高散热效率，延长器件寿命。此器件的栅极驱动电压范围为 ±8V，使其兼容多种标准逻辑电平，便于与数字控制器或微处理器配合使用。
该MOSFET具有较高的抗静电能力（ESD）和较强的抗浪涌电流能力，能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。其适用于各种便携式电子设备、智能手机、平板电脑、穿戴设备、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）等应用场景。
DMN1004UFDF-7 主要用于便携式电子设备中的电源管理电路，例如智能手机、平板电脑、穿戴设备和物联网设备等。其低导通电阻和小型封装使其成为负载开关、电源选择开关、电池充放电控制电路以及逻辑电平转换电路的理想选择。此外，该器件也广泛应用于DC-DC转换器、LED驱动电路、马达控制模块以及工业自动化控制系统中。由于其具备良好的热稳定性和高可靠性，也适用于汽车电子和车载电源系统中的低功耗控制场合。
Si4435DY-T1-GE3, BSS84LT1G, DMN2010UDF-7, TPC2706-H
