时间：2025/12/26 12:52:01
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DMN1003UCA6-7是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关性能。该器件专为高效率电源管理和负载开关应用而设计，适用于便携式设备、电池供电系统以及需要紧凑封装和低功耗特性的电子电路中。其小型化封装SOT-723（也称SC-89）使其非常适合空间受限的应用场景，同时保持良好的热性能和电气性能。该MOSFET在栅极驱动电压较低时仍能实现良好的导通特性，支持逻辑电平控制，因此可直接由微控制器或其他低压控制信号驱动。此外，DMN1003UCA6-7具备良好的稳定性和可靠性，符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适合现代绿色电子产品的需求。
型号：DMN1003UCA6-7
类型：P沟道MOSFET
封装：SOT-723 (SC-89)
供应商：Diodes Incorporated
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大连续漏极电流（ID）：-1.2A
最大脉冲漏极电流（IDM）：-2.4A
最大栅源电压（VGS）：±12V
阈值电压（VGS(th)）：典型值 -0.9V，最小值 -0.65V，最大值 -1.2V
导通电阻（RDS(on)）：最大值 100mΩ @ VGS = -4.5V；最大值 130mΩ @ VGS = -2.5V；最大值 200mΩ @ VGS = -1.8V
输入电容（Ciss）：典型值 90pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
输出电容（Coss）：典型值 45pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
反向传输电容（Crss）：典型值 10pF @ VDS = -10V, VGS = 0V
总栅极电荷（Qg）：典型值 2.3nC @ VDS = -15V, ID = -1A
体二极管反向恢复时间（Trr）：典型值 10ns
DMN1003UCA6-7采用先进的沟道MOSFET工艺，具备出色的开关速度与低静态功耗特性，特别适用于高频开关电源及负载切换等应用。其核心优势在于极低的导通电阻，在低栅极驱动电压下仍能维持优异的导通能力，例如在VGS = -4.5V时，RDS(on) 最大仅为100mΩ，这显著降低了导通损耗，提升了整体系统效率。这种特性使得它在电池供电设备中尤为重要，如智能手机、可穿戴设备和平板电脑中的电源路径管理模块。该器件还表现出良好的热稳定性，能够在高达+150°C的结温下持续运行，确保在高温环境下依然可靠工作。
该MOSFET具有快速的开关响应时间，得益于较小的寄生电容（Ciss=90pF，Crss=10pF），能够有效减少开关过程中的能量损耗，提升转换效率。这对于DC-DC转换器、同步整流以及高速开关应用来说至关重要。此外，其低阈值电压（典型值-0.9V）允许使用低电压逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并节省PCB空间。器件内部集成的体二极管具有较快的反向恢复时间（Trr=10ns），有助于抑制电压尖峰和振铃现象，提高系统的电磁兼容性（EMC）表现。
SOT-723封装不仅体积小巧（仅约2mm x 1.25mm），而且具有优良的散热性能，使器件在有限空间内也能高效散热。这种封装形式支持高密度贴装，适用于自动化贴片生产线，提升了生产效率。同时，产品符合RoHS指令和无卤素要求，满足现代电子产品对环保材料的严格规范。整体而言，DMN1003UCA6-7凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为众多消费类电子、工业控制和通信设备中理想的功率开关元件。
便携式电子设备中的电源开关控制
电池供电系统的负载切换与隔离
DC-DC转换器中的同步整流或上桥臂开关
低电压逻辑接口驱动的开关电路
LED背光或照明系统的电流控制模块
过压/过流保护电路中的通断控制元件
各类需要小型化、高效率P沟道MOSFET的嵌入式系统
DMG1003UCA6-7
