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DMN100-7-F 发布时间 时间：2023/1/29 17:02:32 查看 阅读：409

制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Single
晶体管极性：N-Channel

目录

概述

制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Single
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：1.1A
功率耗散：500mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SC-59-3
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000

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DMN100-7-F产品

DMN100-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C240 毫欧 @ 1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds150pF @ 10V
  • 功率 - 最大500mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装SC-59-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMN100-FDITR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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