类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.4A
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -10V；60mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1V ~ -2V
　　栅极阈值电流（IGSS）：±100nA
　　输入电容（Ciss）：325pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23 (SC-70)
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散（PD）：300mW

DMHC4035LSD-13采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构显著降低了器件的导通电阻，同时提升了电流处理能力。其典型RDS(on)仅为45mΩ（在VGS = -10V条件下），使得在大电流应用下功耗更低，发热更少，从而提高系统的整体能效。该MOSFET的低阈值电压特性使其能够在较低的栅极驱动电压下完全导通，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低成本。
　　该器件具备优异的开关特性，输入电容仅为325pF，在高频开关应用中可有效减少驱动损耗，提升转换效率。其快速的开关响应能力使其适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关等高频操作场合。此外，P沟道结构决定了它在高边开关应用中的天然优势，能够通过简单的逻辑信号控制电源路径的通断，广泛应用于电池供电设备中的电源管理模块。
　　DMHC4035LSD-13的小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，结合合理的布局设计可以有效散热。尽管封装较小，但其能在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，展现出出色的环境适应性和长期可靠性。该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
　　在安全与环保方面，DMHC4035LSD-13符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，同时支持无卤素生产，符合现代绿色制造趋势。其静电放电（ESD）防护能力也经过优化，增强了在装配和使用过程中的抗干扰能力。总体而言，DMHC4035LSD-13是一款高性能、高集成度的P沟道MOSFET，适用于追求小型化、高效能和高可靠性的现代电子系统设计。

DMHC4035LSD-13广泛应用于便携式电子设备中的电源开关与管理电路，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等产品中作为电池供电路径的控制开关。其低导通电阻和小封装特性使其成为理想的选择，有助于延长电池续航时间并减小整体体积。在DC-DC转换器中，该器件可用于高边开关配置，配合控制器实现高效的电压调节功能，尤其适用于降压（Buck）拓扑结构中的同步整流或主开关元件。
　　此外，该MOSFET也常用于负载开关（Load Switch）电路中，用于隔离不同电源域或控制外设模块的供电，防止电流倒灌和降低待机功耗。在工业控制系统、传感器模块和嵌入式微控制器单元（MCU）供电管理中，DMHC4035LSD-13可用于实现精确的电源时序控制和故障保护机制。其快速响应能力也使其适用于热插拔电路设计，保障系统在动态接入负载时的安全性。
　　在消费类电子产品如USB充电器、移动电源、LED驱动模块中，该器件可用于过流保护和电源通断控制。由于其支持逻辑电平直接驱动，因此可以直接由GPIO引脚控制，简化了驱动电路设计。在汽车电子领域，虽然需确认是否通过AEC-Q101认证，但其宽温特性和高可靠性使其潜在应用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和小型电机驱动电路中。总的来说，DMHC4035LSD-13凭借其优异的电气性能和紧凑封装，适用于各类需要高效、小型化电源开关解决方案的设计场景。

DMG2305UX-7
　　AO3415
　　FDMC8200
　　SI2305DS