时间：2025/5/8 19:50:46
阅读：1
DMG9926USD是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-23封装。该器件适用于需要高效率和低功耗的应用场景，例如便携式设备、开关电源、负载开关和电机驱动等。由于其小尺寸和优异的电气性能，DMG9926USD在消费电子和工业应用中非常受欢迎。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：1.1A
栅极阈值电压：1.5V至3.0V
导通电阻（典型值）：0.8Ω（在Vgs=4.5V时）
总功耗：470mW
工作温度范围：-55℃至150℃
DMG9926USD具有以下主要特性：
1. 小尺寸SOT-23封装，节省PCB空间。
2. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗。
3. 较低的栅极电荷，支持高频开关操作。
4. 高击穿电压，确保器件在较高电压环境下的稳定性。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代设计需求。
该MOSFET广泛应用于各种领域，包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 信号切换与隔离。
4. 低功率DC/DC转换器。
5. 消费类电子产品中的过流保护电路。
6. 小型电机控制和驱动。
7. 其他需要高效开关和低功耗的场合。
DMG9925USQ, BSS138, FDN327N
