时间：2025/5/20 15:23:31
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DMG9926UDM是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型化的DFN5x6封装，适用于需要高效能和高频率开关的电路设计。该器件以其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性著称，广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：3.7A
导通电阻（典型值）：8mΩ
栅极电荷：8nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃至+150℃
DMG9926UDM具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。同时，其快速开关特性使其非常适合高频应用。此外，该器件采用了先进的制造工艺，确保了在极端温度条件下的稳定性能。紧凑的DFN5x6封装不仅节省了PCB空间，还增强了热性能。
该器件还具备出色的静电放电（ESD）保护能力，从而提高了产品的耐用性。总体而言，DMG9926UDM是一个兼顾高性能和高可靠性的选择。
DMG9926UDM被广泛用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关、电源管理模块、便携式设备电池管理等场景。它也常用于电信设备中的信号调节和功率分配任务，以及工业自动化系统中的各种开关应用。由于其高效的能量转换能力，这款MOSFET特别适合对能效有严格要求的场合。
DMG3419UWQ-7, IRF7409TRPBF
