DMG8880LSS-13-F 时间：2025/5/27 18:52:34 阅读：33

DMG8880LSS-13-F是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用PDFN3333-10封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力，适用于各种功率管理应用。其小尺寸封装使其非常适合于空间受限的设计环境。
　　这款MOSFET主要面向消费电子、通信设备和工业控制等领域，能够实现高效能的电源转换和负载切换功能。

参数

型号：DMG8880LSS-13-F
　　类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
　　VDS（漏源电压）：30V
　　RDS(on)（导通电阻）：2.5mΩ（典型值，在VGS=10V条件下）
　　ID（连续漏极电流）：18A
　　VGS（栅源电压）：±20V
　　Qg（总栅极电荷）：6nC
　　EAS（雪崩能量）：45mJ
　　封装：PDFN3333-10
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

DMG8880LSS-13-F具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关速度，得益于其低栅极电荷设计，可有效降低开关损耗。
　　3. 高电流承载能力，支持高达18A的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
　　4. 小型化PDFN3333-，适合紧凑型设计。
　　5. 宽工作温度范围，确保在极端环境下仍能稳定运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅制造工艺。
　　7. 支持高频开关操作，适应现代电子设备对高效能和小型化的要求。

应用

DMG8880LSS-13-F广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
　　2. DC/DC转换器中作为主开关或同步整流元件。
　　3. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制和保护电路。
　　4. 电机驱动中的H桥或半桥拓扑结构。
　　5. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等中的功率转换模块。
　　6. 工业自动化设备中的负载切换和功率调节电路。