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DMG8822UTS 发布时间 时间:2025/5/7 13:45:15 查看 阅读:8

DMG8822UTS是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用超小型TSOT-23封装。该器件主要应用于便携式设备和消费类电子产品中的负载开关、DC/DC转换器以及电源管理电路。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  这款MOSFET适用于需要高效能和小尺寸解决方案的场合,其卓越的性能使其成为许多现代电子设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:4.5A
  导通电阻(典型值):90mΩ
  栅极电荷:10nC
  总电容:45pF
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

DMG8822UTS的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,支持高频应用。
  3. 小型化封装设计,节省PCB空间。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件的耐用性。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合各种工业规范要求。
  这些特性使得DMG8822UTS在移动设备、计算机外设以及其他对体积和效率敏感的应用中表现优异。

应用

DMG8822UTS广泛用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
  2. 各种降压和升压DC/DC转换器。
  3. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  4. LED驱动器和电池保护电路。
  5. 其他需要高效率和紧凑型功率管理方案的场景。
  通过利用DMG8822UTS的小尺寸和高性能特点,可以实现更加紧凑、高效的电子设计。

替代型号

DMG8820UFG, DMG8821UTS

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