时间：2025/12/26 9:42:19
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DMG6602SVT是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用小型SOT26封装，适用于便携式电子设备中的电源管理和信号开关应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，能够在较小的封装内提供优异的电气性能。DMG6602SVT特别适合用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他需要高效能、小尺寸功率开关的场合。其P沟道结构使其在高边开关或负载开关配置中表现出色，无需额外的驱动电路即可实现简单的逻辑电平控制。该MOSFET的设计注重功耗优化，在待机或低负载状态下能够有效减少能量损耗，从而延长电池寿命。此外，SOT26封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，确保在高密度布局下的可靠运行。
类型：P沟道
极性：增强型
漏源电压（Vds）：-20V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：-1.7A
脉冲漏极电流（Idm）：-5.5A
导通电阻Rds(on)：45mΩ @ Vgs = -4.5V
导通电阻Rds(on)：60mΩ @ Vgs = -2.5V
阈值电压（Vgs(th)）：-0.8V ~ -1.4V
输入电容（Ciss）：300pF @ Vds = 10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOT26
功率耗散（Pd）：1W
DMG6602SVT具备出色的导通特性和快速开关能力，其低Rds(on)特性显著降低了在导通状态下的功率损耗，这对于提高系统整体效率至关重要。在Vgs为-4.5V时，其最大导通电阻仅为45mΩ，这使得它非常适合用于低电压、大电流的开关应用中。即使在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下，其Rds(on)也仅上升至60mΩ，表明其在逻辑电平驱动条件下仍能保持良好性能，兼容3.3V或1.8V的控制信号。该器件的阈值电压范围合理，保证了可靠的开启与关断控制，避免因噪声干扰导致误动作。其输入电容较低，有助于减少驱动电路的负载，提升开关速度，并降低动态损耗。
该MOSFET采用先进的沟槽技术制造，提升了载流子迁移率和单位面积的导电能力，同时优化了热阻特性，使结到环境的热传导更加高效。SOT26封装虽小，但引脚布局合理，支持回流焊工艺，适合自动化生产。器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保。在可靠性方面，经过严格的高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保在恶劣工作环境下长期稳定运行。此外，该器件具有良好的抗静电能力（ESD保护），增强了在装配和使用过程中的耐用性。这些综合特性使其成为高性能、紧凑型电源管理解决方案的理想选择。
广泛应用于便携式消费类电子产品中的电源开关、电池管理系统、LED背光驱动、热插拔控制器以及DC-DC转换器的同步整流部分。常见于智能手机和平板电脑的负载开关电路中，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和系统保护。也可用于电机驱动、继电器驱动等小功率开关场景。由于其良好的开关特性，常被用作反向电流阻断二极管的替代方案（理想二极管应用），以降低压降和功耗。此外，在多路电源选择电路中，DMG6602SVT可用于自动切换主备电源，确保系统持续供电。其小型化封装也使其适用于空间受限的可穿戴设备和物联网终端设备中的功率控制需求。
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"DMG2302UKS-7",
"AOA60333",
"SI2301-DS3-T1-E3",
"FDC630P",
"RTQ2010-1GBT"
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