时间：2025/6/3 8:58:22
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DMG6602S是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用小型SOT-23封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点，适用于各种便携式设备中的负载开关、电源管理以及信号切换等应用。其设计目的是为了满足现代电子设备对高效能和小尺寸的需求。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω（在Vgs=4.5V时）
总功耗：370mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
DMG6602S拥有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。
该器件具备快速开关能力，能够有效降低开关过程中的能量损失。
SOT-23的小巧封装使其非常适合于空间受限的应用场景。
它还具有出色的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内正常工作。
此外，DMG6602S支持表面贴装技术，简化了生产流程并提高了制造效率。
这款MOSFET广泛应用于手机、平板电脑和其他消费类电子产品中的负载开关。
它可以用于电池供电设备的电源管理电路中，以实现高效的电能转换。
此外，在音频设备、LED驱动器以及数据通信系统中也有它的身影。
由于其快速的开关特性和低导通电阻，DMG6602S也是电机控制和信号切换的理想选择。
DMG2303L, BSS138, SI2302DS
