时间：2025/7/4 6:11:47
阅读：20
DMG6402LDM-7 是一款 N 沗道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Diodes 公司生产。该器件适用于低电压、高效率开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于便携式设备、电池管理系统以及 DC-DC 转换器等领域。
DMG6402LDM-7 采用超小型 DFN 封装（2x2mm），能够显著节省 PCB 空间，同时提供出色的电气性能和热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：4nC
总电容：110pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装类型：DFN-7 (2x2mm)
功耗：1.4W
DMG6402LDM-7 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少了开关损耗，特别适合高频应用。
3. 高度集成的小型封装设计，非常适合空间受限的应用场景。
4. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 提供优异的静电放电保护能力，提高了产品的鲁棒性。
该 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 电池供电系统的保护电路。
3. 各种 DC-DC 转换器及同步整流应用。
4. 电机驱动与控制。
5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 通信设备中的高效功率转换方案。
DMG6402LDG-7, DMG6402LSD-7, Si2318DS
