时间：2025/8/2 5:48:25
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DMG6302UDW-7是一款由Diodes公司生产的双P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的Trench MOSFET技术制造，具有高性能和高可靠性。该器件采用6引脚DFN封装，适用于空间受限的便携式设备和电源管理系统。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：-20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-3.1A（@Vgs = -4.5V）
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（@Vgs = -4.5V）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN-6
DMG6302UDW-7具有低导通电阻的特点，使其在低电压应用中能够实现高效的功率传输。该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持从-12V到+12V的输入，提高了其在不同电路设计中的适应性。此外，该MOSFET采用了先进的Trench工艺，能够在保持小尺寸的同时提供优异的电性能。
该器件的封装形式为DFN-6，具备良好的散热性能，适用于需要高效热管理和紧凑布局的应用场景。其工作温度范围从-55°C到+150°C，适合在各种严苛环境下运行。
DMG6302UDW-7的双MOSFET结构允许它在多个功率控制应用中使用，例如负载开关、DC-DC转换器以及电池供电系统的电源管理模块。该器件的高可靠性和稳定性也使其成为工业级应用的理想选择。
DMG6302UDW-7广泛应用于便携式电子设备中的电源管理系统，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外，它还适用于电池保护电路、负载开关、DC-DC转换器以及小型电源模块的设计。
在负载开关应用中，DMG6302UDW-7能够有效地控制电源的开启与关闭，减少待机功耗并提高整体能效。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和过流保护，确保系统的安全运行。
由于其紧凑的DFN封装和出色的电气性能，DMG6302UDW-7也常用于空间受限的嵌入式系统和高密度电路板设计中。
Si3442DV, BSS84LT1G, DMG2302UX-7
