时间：2025/8/2 8:30:02
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DMG6301UDW-7是一款由Diodes公司生产的双通道P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率的电源管理应用。这款MOSFET采用先进的Trench MOSFET技术，能够在低电压条件下提供高性能和低导通电阻。DMG6301UDW-7采用小型化的TSSOP封装，适用于空间受限的应用场景。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：-30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-5.1A
导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs = -10V，42mΩ @ Vgs = -4.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSSOP
DMG6301UDW-7具有低导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其P沟道设计使其在高端开关应用中表现出色，无需额外的驱动电路即可工作。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从-4.5V到-10V的电压操作，提高了设计的灵活性。
此外，DMG6301UDW-7采用双通道结构，能够在单个封装中实现两个独立的MOSFET，节省PCB空间并减少组件数量。其TSSOP封装形式适合高密度PCB布局，并具有良好的热性能，能够有效散热。
DMG6301UDW-7广泛应用于各种电源管理领域，特别是在需要高效能和小尺寸设计的场景中。例如，在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子设备中，该MOSFET可用于电源开关和负载管理。在DC-DC转换器中，DMG6301UDW-7的低导通电阻和高效率特性能够提升整体系统的能效。
此外，该器件还适用于电池管理系统，用于控制电池充放电路径，防止反向电流流动。在电机驱动电路中，DMG6301UDW-7可以作为高端开关，提供高效的电源控制。其双通道结构也使其在需要多个独立开关的场合中具有优势，例如在多路输出电源系统中。
Si3442DV, BSS84, DMG2305UX-7
