型号：DMG5802LFX-7
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-70)
　　供应商：Diodes Incorporated
　　最大漏源电压(VDSS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　最大连续漏极电流(ID)：-4.4A
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：-12A
　　最大导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -4.5V：65mΩ
　　最大导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -2.5V：90mΩ
　　最大导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -1.8V：115mΩ
　　栅极阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.5V
　　栅极电荷(Qg) @ VDS=10V, ID=4.4A：5.3nC
　　输入电容(Ciss) @ VDS=10V：275pF
　　输出电容(Coss) @ VDS=10V：100pF
　　反向恢复时间(trr)：14ns
　　功率耗散(PD)：500mW

DMG5802LFX-7采用先进的TrenchFET技术，这种工艺通过优化沟道结构显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。该器件在低电压应用中表现尤为出色，例如在-4.5V栅源电压下，其典型RDS(on)仅为65mΩ，而在更低的-2.5V或-1.8V驱动条件下也能保持较低的导通阻抗，分别为90mΩ和115mΩ，这使其能够在电池供电系统中实现高效的电源控制。此外，其低栅极电荷（Qg为5.3nC）和低输入电容（Ciss为275pF）使得开关速度更快，驱动功耗更低，特别适合用于高频开关电路如同步整流、DC-DC降压变换器等场合。
　　该MOSFET具备良好的热性能，结温最高可达150°C，并且拥有出色的热稳定性与长期可靠性。其SOT-23（SC-70）封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，适用于高密度集成设计。器件符合RoHS标准且不含卤素，满足现代电子产品对环保的要求。同时，它具有较强的抗静电能力（HBM ESD rating > 2kV），增强了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。
　　DMG5802LFX-7的栅极阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，确保了在不同逻辑电平下的可靠开启与关断，兼容多种控制信号源。其反向恢复时间较短（trr = 14ns），有助于降低体二极管导通期间的能量损耗，提升系统效率。总体而言，这款P沟道MOSFET凭借其优异的电气参数、紧凑封装和高可靠性，成为便携式消费类电子、移动设备电源管理单元、LED背光驱动以及各类低电压开关应用的理想选择。

DMG5802LFX-7广泛应用于各类需要高效、小型化电源开关解决方案的电子系统中。常见应用场景包括便携式电池供电设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机中的负载开关与电源路径管理。由于其低导通电阻和快速响应特性，该器件可用于实现电池与主系统之间的隔离控制，有效防止待机状态下不必要的漏电损耗，延长续航时间。
　　此外，它也常被用作DC-DC转换器中的同步整流开关元件，尤其是在Buck拓扑结构中作为高端或低端开关使用，以提高转换效率并减少发热。在电源多路复用（Power MUX）电路中，DMG5802LFX-7可用于选择不同的输入电源来源（如USB供电与电池供电之间切换），实现无缝电源切换功能。
　　该器件还可用于电机驱动、LED驱动电路、热插拔控制器以及各类信号开关应用。其小尺寸封装特别适合空间受限的高密度PCB布局，例如TWS耳机充电仓、智能手环主板等微型化产品设计。在工业控制领域，也可用于传感器模块的电源启停控制，以降低系统整体功耗。总之，凡是在-20V以下电压范围内需要高性能P沟道MOSFET进行开关控制的应用，DMG5802LFX-7都是一个极具竞争力的选择。

DMG5802U,NXM5802NBK,NTR4101PT1G,SI2302ADS-S17-1