DMG4N65CTI 时间：2025/12/26 9:52:03 阅读：19

DMG4N65CTI是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压制程技术设计，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高压功率开关的应用场景。该器件具有650V的漏源击穿电压（V(BR)DSS），能够承受较高的电压应力，适合在工业电源系统中使用。其低导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性使其在高频开关应用中表现出较低的导通损耗和开关损耗，有助于提高整体系统效率。DMG4N65CTI封装于小型化的TO-252（DPAK）表面贴装封装中，具备良好的热性能和机械稳定性，便于自动化生产及散热管理。该MOSFET还内置了快速恢复体二极管，可在感性负载切换时提供反向电流路径，减少外部元件需求。由于其高耐压、高可靠性以及紧凑的封装形式，DMG4N65CTI广泛应用于服务器电源、通信设备电源模块、LED驱动电源以及光伏逆变器等高端电力电子领域。
　　这款MOSFET经过严格的质量控制流程制造，符合RoHS环保标准，并具备良好的抗雪崩能力和长期工作稳定性。其栅极阈值电压适中，兼容常见的PWM控制器驱动信号，无需额外的电平转换电路即可直接驱动。此外，器件对瞬态过压和过流具有一定的自保护能力，在合理设计的电路条件下可实现安全可靠运行。对于需要在高温环境下工作的应用，DMG4N65CTI也展现了优异的热稳定性，能够在结温高达150°C的情况下持续工作，确保系统在严苛工况下的可靠性。

参数

型号：DMG4N65CTI
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压V(BR)DSS：650V
　　栅源电压VGS：±30V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：4A
　　脉冲漏极电流IDM：16A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：1.8Ω
　　导通电阻RDS(on)（typ @ VGS=10V）：1.5Ω
　　栅极电荷Qg（typ）：35nC
　　输入电容Ciss（typ）：900pF
　　输出电容Coss（typ）：130pF
　　反向恢复时间trr（typ）：45ns
　　二极管正向压降VSD：1.3V
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252 (DPAK)

特性

DMG4N65CTI的核心优势在于其高压与低导通电阻之间的良好平衡，这使得它在650V级别的功率MOSFET中具有出色的性能表现。其1.8Ω的最大导通电阻在同类高压器件中处于领先水平，显著降低了在额定电流下的导通损耗，从而提升了电源系统的整体能效。该器件采用了优化的元胞结构设计，有效减少了JFET区和漂移区的电阻分量，同时通过改进的栅极氧化层工艺提高了器件的长期可靠性与栅极耐用性。在高频开关应用中，较低的栅极电荷（Qg = 35nC typ）意味着驱动电路所需的能量更少，有助于降低驱动IC的功耗并简化驱动电源设计。
　　该MOSFET的输出电容（Coss）仅为130pF左右，在高压关断状态下储存的能量较少，有利于减小开关过程中的能量损耗，特别是在硬开关拓扑如反激式或正激式变换器中效果明显。此外，其较快的体二极管反向恢复时间（trr ≈ 45ns）可以有效抑制反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），避免对主开关造成应力冲击，提升系统稳定性。TO-252封装不仅节省PCB空间，而且通过底部焊盘可实现高效的热传导，配合散热铜箔或散热器可将热量迅速传递至PCB，保障长时间高负载运行下的温度可控。
　　DMG4N65CTI还具备良好的抗雪崩能力，能够在发生意外过压或感性负载突变时吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。其工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应各种恶劣环境条件，包括高温工业现场和低温户外设备。器件符合AEC-Q101车规级可靠性测试要求的部分版本可用于汽车辅助电源系统。此外，该MOSFET在制造过程中采用无卤素材料，满足绿色环保法规要求，适合出口型电子产品应用。

应用

DMG4N65CTI主要应用于需要高电压、中等电流开关能力的电力电子系统中。典型用途包括离线式开关电源（SMPS），尤其是用于AC-DC适配器、充电器、服务器电源和电信整流模块中的主开关管或同步整流管。在反激式（Flyback）拓扑中，该器件可作为初级侧开关，利用其650V耐压能力直接连接整流后的市电母线（约310V~400V），实现高效能量传输。在LLC谐振转换器或PFC（功率因数校正）升压级中，也可作为开关元件使用，尤其是在中小功率段（50W~300W）中表现出良好的性价比和效率平衡。
　　该器件同样适用于DC-DC变换器，如非隔离型的Buck、Boost或Buck-Boost电路，用于工业控制、自动化仪表、嵌入式系统供电等领域。在电机驱动应用中，DMG4N65CTI可用于小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，提供快速响应和低损耗的开关控制。此外，在LED照明驱动电源中，特别是高压恒流源方案中，该MOSFET可用作开关调节元件，配合专用控制芯片实现精确调光与高效率输出。
　　其他应用还包括光伏微型逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及各类工业电源模块。由于其封装为表面贴装型TO-252，特别适合自动化贴片生产线，广泛用于批量制造的消费类、商用和工业级电源产品中。在需要紧凑布局和良好散热的设计中，该器件是一个理想的高压MOSFET选择。