时间：2025/10/31 17:03:12
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DMG4800LK3是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET晶体管，采用先进的沟槽型技术制造，专为高效率和高性能的电源管理应用而设计。该器件封装在小型SOT-23（SC-70）封装中，具有极低的导通电阻和优异的开关特性，非常适合用于便携式电子产品和空间受限的应用场景。DMG4800LK3具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于电池供电设备、负载开关、DC-DC转换器以及信号路由等应用领域。由于其小尺寸封装和高性能参数，该MOSFET在消费电子、通信设备和工业控制系统中得到了广泛应用。
该器件的最大漏源电压（VDS）为-20V，连续漏极电流（ID）可达-3.7A，适合中等功率级别的开关操作。栅极阈值电压较低，可与3.3V或5V逻辑电平直接兼容，便于与微控制器或其他数字控制电路接口。此外，DMG4800LK3符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。整体而言，DMG4800LK3是一款高性价比、高集成度的功率MOSFET，适用于多种低压直流开关和功率控制场合。
型号：DMG4800LK3
类型：N沟道MOSFET
封装：SOT-23 (SC-70)
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-3.7A
脉冲漏极电流（IDM）：-12A
导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻（RDS(on)）：37mΩ @ VGS = -2.5V
栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.4V ~ -1.0V
输入电容（Ciss）：320pF @ VDS = 10V
开启时间（Ton）：约10ns
关断时间（Toff）：约15ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
DMG4800LK3采用了先进的沟槽型场效应晶体管工艺，具备出色的电气性能和热稳定性，能够在高频开关条件下保持低功耗和高效率。其低导通电阻特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，特别适用于对功耗敏感的电池供电设备。器件的栅极结构经过优化设计，输入电容较小，有助于减少驱动电路的能量消耗，并加快开关速度，从而提升动态响应能力。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），进一步增强了其在高频开关应用中的表现，减少了开关过程中的能量损耗。
该器件的SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备良好的散热性能，能够通过PCB焊盘有效传导热量，避免局部过热导致的性能下降或损坏。尽管封装尺寸小，但其电流承载能力仍达到-3.7A连续漏极电流，在同类产品中处于领先水平。这种高电流密度设计使得它在微型化电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中极具优势。
DMG4800LK3具有较强的抗雪崩能力和稳健的过载承受能力，能够在瞬态过压或短路情况下维持一定的安全裕度，提升了系统运行的可靠性。同时，其宽泛的工作温度范围使其适用于各种严苛环境，包括高温工业环境和低温户外设备。此外，该器件的制造过程遵循严格的品质控制标准，确保批次一致性高，长期使用稳定性好，适合大规模自动化贴片生产。
DMG4800LK3广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品的电源管理模块，例如手机、MP3播放器、蓝牙耳机和智能手表中的负载开关或电池保护电路。在这些应用中，该MOSFET用于控制电源通断，实现低静态电流待机模式，延长电池续航时间。
此外，它也常用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流开关，利用其低RDS(on)特性减少能量损耗，提高转换效率。在电机驱动电路中，DMG4800LK3可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动结构中的低端开关元件，提供快速响应和可靠控制。
工业控制领域中，该器件可用于传感器电源开关、LED驱动电路或继电器驱动接口，实现精确的信号通断控制。在通信设备中，可用于RF模块的偏置电源切换或天线调谐电路中的开关元件。另外，由于其良好的开关特性和小型封装，DMG4800LK3也被广泛用于热插拔电路、USB端口电源控制以及多路电源选择开关等应用场景，是现代高密度电子产品中不可或缺的关键功率元件。
DMP2008UFG-7,DMP2108L-7,DMP2035U2-7,DMG2302UK3-7,SI2302CDS-T1-E3
