时间：2025/6/29 3:50:24
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DMG4800LK3-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型场效应晶体管 (MOSFET)，采用紧凑的小外形晶体管封装 (SOT-26)。该器件适用于低电压、低功耗应用，例如开关电源、负载开关和电池供电设备中的功率管理电路。
该 MOSFET 的设计特点包括低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性，使其能够高效地处理电流并减少功率损耗。此外，其高雪崩击穿能力和良好的热稳定性增强了其在各种严苛条件下的可靠性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±10V
连续漏极电流：5.1A
导通电阻 (Rds(on))：25mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
总功耗：0.7W
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-26
DMG4800LK3-13 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了更高效的电流传输和更低的功率损耗。
2. 高速开关能力使得该器件非常适合高频开关应用。
3. 紧凑的 SOT-26 封装节省了 PCB 布局空间，并有助于简化散热设计。
4. 良好的热稳定性和高雪崩击穿能力增强了其在恶劣环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，适合环保要求较高的应用。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. 手机、平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
3. 电池管理系统中的保护电路。
4. LED 驱动器中的开关元件。
5. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
DMG4800LG-13,
DMG4800LHT-13,
NTMFS4800N
