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DMG4710SSS-13 发布时间 时间:2025/12/26 11:18:31 查看 阅读:15

DMG4710SSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET,采用小型化SOT-23(SC-70)封装,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件设计用于低电压开关应用,具有较低的导通电阻和栅极电荷,能够实现高效的功率控制和快速的开关响应。DMG4710SSS-13广泛应用于电池供电设备、电源管理开关、负载开关、电机驱动以及信号切换等场景。其P沟道结构允许在低侧或高侧开关配置中使用,尤其适合在3.3V或5V逻辑控制下直接驱动,无需额外的电平转换电路。该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性,符合RoHS环保要求,并通过了无卤素认证,适用于现代绿色电子产品制造。由于其小尺寸封装和高性能参数,DMG4710SSS-13成为智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端中的理想选择。
  该器件的关键优势在于其低阈值电压与优异的跨导性能,使其能够在较低的栅源电压下完全导通,从而降低驱动功耗并提高系统效率。此外,DMG4710SSS-13内部集成了体二极管,可在感性负载关断时提供续流路径,保护电路免受反向电压冲击。其封装形式支持表面贴装工艺,便于自动化生产,同时具备较好的散热能力,能够在有限的空间内维持稳定的电气性能。总体而言,DMG4710SSS-13是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,适用于多种低压、高频开关应用环境。

参数

类型:P沟道
  极性:增强型
  漏源电压(VDS):-20V
  栅源电压(VGS):±8V
  连续漏极电流(ID):-2.6A @ 25°C
  脉冲漏极电流(IDM):-8A
  导通电阻(RDS(on)):55mΩ @ VGS = -4.5V
  导通电阻(RDS(on)):75mΩ @ VGS = -2.5V
  导通电阻(RDS(on)):95mΩ @ VGS = -1.8V
  阈值电压(VGS(th)):-0.5V ~ -1.0V
  栅极电荷(Qg):5.5nC @ VGS = -4.5V
  输入电容(Ciss):220pF @ VDS = -10V
  反向恢复时间(trr):18ns
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装/外壳:SOT-23 (SC-70)

特性

DMG4710SSS-13的电气特性表现出色,尤其是在低电压驱动条件下仍能保持较低的导通电阻,这使其在便携式设备中具有显著优势。其典型的RDS(on)为55mΩ(在VGS = -4.5V时),意味着在相同电流下功耗更低,发热更少,有助于提升系统的整体能效。当驱动电压降至-2.5V时,RDS(on)仍可维持在75mΩ左右,表明该器件对逻辑电平信号有良好的兼容性,特别适合由3.3V或甚至1.8V控制器直接驱动的应用场合。这种低阈值电压特性使得它可以在微控制器GPIO引脚控制下实现高效开关操作,而无需额外的驱动IC,简化了电路设计并降低了成本。
  该MOSFET的栅极电荷(Qg)仅为5.5nC,这一数值非常低,意味着在高频开关应用中所需的驱动能量较小,从而减少了开关损耗,提高了转换效率。这对于DC-DC转换器、同步整流和PWM控制等高频应用场景尤为重要。同时,较低的输入电容(Ciss = 220pF)也进一步降低了高频下的容性负载,提升了响应速度。此外,器件的反向恢复时间(trr)为18ns,虽然作为P沟道MOSFET主要用于非同步整流或开关用途,但较短的trr有助于减少体二极管导通时的能量损耗,特别是在处理感性负载时更为关键。
  热性能方面,DMG4710SSS-13的最大结温可达+150°C,具备良好的高温工作能力,确保在恶劣环境下依然稳定运行。其SOT-23封装虽然体积小巧,但经过优化设计,能够在适当的PCB布局下有效散热,支持持续大电流工作。此外,该器件具有较强的抗静电能力(ESD保护),增强了在装配和使用过程中的可靠性。综合来看,DMG4710SSS-13以其低导通电阻、低驱动需求、高开关速度和紧凑封装,在消费电子、工业控制和通信模块中展现出广泛的适用性和卓越的性能表现。

应用

DMG4710SSS-13广泛应用于各类需要高效、低功耗开关控制的电子系统中。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中,常被用作电源管理单元中的负载开关,用于控制不同功能模块的供电通断,以实现节能待机或动态电源管理。例如,在显示屏背光控制、传感器模块供电或外设接口电源切换中,该MOSFET可通过微控制器的GPIO信号精确控制电源路径,避免不必要的静态功耗。
  在电池供电设备中,该器件可用于电池反接保护电路或充放电路径控制,利用其P沟道特性实现高侧开关配置,防止电流倒灌,提升系统安全性。此外,在DC-DC降压或升压转换器中,DMG4710SSS-13可作为同步整流开关或辅助开关元件,配合N沟道MOSFET完成高效的能量转换,尤其适用于低输出电压(如1.2V、1.8V)的稳压电源设计。
  在工业控制领域,该器件可用于继电器驱动、电机启停控制或信号多路复用开关,凭借其快速响应能力和低导通损耗,能够提高控制系统响应速度并减少发热问题。另外,在通信模块、无线传感器网络节点以及IoT终端设备中,常用于RF前端电源管理或天线切换电路,确保射频信号路径的纯净与稳定。总之,凡是在空间受限且对效率、响应速度和可靠性有较高要求的低压开关场景,DMG4710SSS-13均是一个极具竞争力的选择。

替代型号

AO3415, FDN340P, MC74VHC1GT04, ZXMP6A17, BSS84

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DMG4710SSS-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SiMFET
  • FET 型MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 11.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1849pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.54W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMG4710SSS-13DITR