时间：2025/5/20 14:01:54
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DMG4496SSS是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Diodes Incorporated生产。该器件采用DFN2020-8封装形式，具有超低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于便携式设备中的负载开关、同步整流以及电池保护等应用。其出色的性能使得它在需要高效能和小型化设计的应用中表现优异。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.5A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷(Qg)：4nC
总功耗(Ptot)：450mW
工作结温范围(Tj)：-55°C to +150°C
DMG4496SSS具有以下主要特性：
1. 超低导通电阻Rds(on)，确保高效率和低功率损耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 小型DFN2020-8封装，节省电路板空间。
4. 高度可靠的静电放电(ESD)防护能力。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 支持表面贴装技术(SMT)，便于自动化生产和大规模制造。
DMG4496SSS适用于多种电子应用领域，包括但不限于：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 同步整流电路。
3. 电池管理与保护系统。
4. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
5. 数据通信接口保护。
6. 便携式电子设备的电源管理解决方案。
DMG3419US-7, DMG3418US-7
