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DMG4466SSS-13 发布时间 时间:2025/6/18 9:07:22 查看 阅读:4

DMG4466SSS-13是一款由Diodes Incorporated公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该芯片属于P沟道增强型MOSFET,广泛应用于负载开关、DC-DC转换器、电源管理以及电池供电设备等场景。DMG4466SSS-13以其低导通电阻和快速开关性能著称,适用于需要高效率和低功耗的设计方案。
  该型号采用小型DFN2020-8封装,有助于节省PCB空间并满足现代电子设备对紧凑设计的需求。

参数

类型:P-channel MOSFET
  封装:DFN2020-8
  Vds(漏源极击穿电压):-40V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):5.5mΩ
  Id(连续漏极电流):-6.9A
  栅极电荷(Qg,典型值):7nC
  Vgs(th)(栅极阈值电压):-1V to -2V
  工作温度范围:-55℃ to 150℃
  功耗:约2W(具体取决于应用环境)

特性

DMG4466SSS-13具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 小型化封装,适合空间受限的应用。
  3. 高速开关能力,支持高频电路设计。
  4. 宽泛的工作温度范围,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
  5. 可靠的电气性能,适合多种电源管理和信号切换应用。
  6. 内置ESD保护功能,提升器件的鲁棒性。

应用

该MOSFET芯片主要应用于以下领域:
  1. 负载开关控制。
  2. DC-DC转换器中的同步整流。
  3. 电池管理系统(BMS),包括过流保护和短路保护。
  4. 消费类电子产品中的电源管理单元。
  5. 工业自动化设备中的信号隔离与切换。
  6. LED驱动电路中的开关元件。
  7. 通信设备中的功率分配网络。

替代型号

DMG3415U-7,
  DMG4467SSS-13,
  Si4449DDS

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DMG4466SSS-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds478.9pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.42W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMG4466SSS-13DITR