DMG4466SSS-13是一款由Diodes Incorporated公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该芯片属于P沟道增强型MOSFET,广泛应用于负载开关、DC-DC转换器、电源管理以及电池供电设备等场景。DMG4466SSS-13以其低导通电阻和快速开关性能著称,适用于需要高效率和低功耗的设计方案。
该型号采用小型DFN2020-8封装,有助于节省PCB空间并满足现代电子设备对紧凑设计的需求。
类型:P-channel MOSFET
封装:DFN2020-8
Vds(漏源极击穿电压):-40V
Rds(on)(导通电阻,典型值):5.5mΩ
Id(连续漏极电流):-6.9A
栅极电荷(Qg,典型值):7nC
Vgs(th)(栅极阈值电压):-1V to -2V
工作温度范围:-55℃ to 150℃
功耗:约2W(具体取决于应用环境)
DMG4466SSS-13具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
2. 小型化封装,适合空间受限的应用。
3. 高速开关能力,支持高频电路设计。
4. 宽泛的工作温度范围,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
5. 可靠的电气性能,适合多种电源管理和信号切换应用。
6. 内置ESD保护功能,提升器件的鲁棒性。
该MOSFET芯片主要应用于以下领域:
1. 负载开关控制。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电池管理系统(BMS),包括过流保护和短路保护。
4. 消费类电子产品中的电源管理单元。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与切换。
6. LED驱动电路中的开关元件。
7. 通信设备中的功率分配网络。
DMG3415U-7,
DMG4467SSS-13,
Si4449DDS