类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-3.4A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-10A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS= -4.5V：40mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS= -2.5V：55mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS= -1.8V：75mΩ
　　阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容(Ciss)：225pF
　　输出电容(Coss)：170pF
　　反向传输电容(Crss)：35pF
　　开启延迟时间(t_d(on))：7ns
　　关闭延迟时间(t_d(off))：18ns
　　上升时间(t_r)：9ns
　　下降时间(t_f)：6ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装：DFN1212-6

DMG4413LSS采用了Diodes公司独有的屏蔽栅（Shielded Gate Technology, SGT）结构，这种先进的MOSFET制造工艺通过在栅极下方引入一个金属屏蔽层，有效地隔离了栅极与漏极之间的电场耦合，从而大幅降低了器件的反向传输电容（Crss），也就是常说的米勒电容。这一改进直接带来了更优的开关速度和更高的抗噪声干扰能力，特别适用于高频开关电源和同步整流应用。
　　由于Crss的降低，DMG4413LSS在开关过程中受到的米勒效应影响显著减小，使得栅极驱动更加稳定，减少了因电压突变引起的误触发风险。同时，输入电容Ciss也得到了优化，有助于减轻驱动电路的负担，提高整体系统的能效表现。此外，SGT技术还改善了载流子分布，增强了沟道导电能力，进一步降低了导通电阻RDS(on)，即使在低栅压如-1.8V或-2.5V下仍能保持较低的导通损耗，这使其非常适合用于由锂电池供电的低压逻辑控制场景。
　　该器件在热性能方面同样出色。DFN1212-6封装底部集成了散热焊盘，能够高效地将芯片产生的热量传导至PCB上的铜箔区域，实现良好的热管理。结合其低功耗特性，可在长时间运行中维持稳定的电气性能。此外，DMG4413LSS具备出色的雪崩能量耐受能力和坚固的栅氧化层设计，提升了在瞬态过压或负载突变情况下的可靠性。总体而言，这款MOSFET在小型化、高效能和高可靠性之间实现了良好平衡，是现代便携式电子设备理想的选择。

DMG4413LSS广泛应用于对空间和能效要求严苛的电子系统中。典型应用场景包括移动设备中的电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充放电控制与负载开关；在这些设备中，其低RDS(on)和快速响应能力有助于延长续航时间并提升系统效率。
　　此外，该器件常用于同步降压型DC-DC转换器中作为高端或低端开关管，尤其是在输入电压较低（如3.3V或5V）的电源模块中，能够有效减少导通损耗并提高转换效率。它也可用于H桥电机驱动电路中的P沟道上桥臂开关，提供可靠的正反转控制功能。
　　在热插拔电路和USB供电接口中，DMG4413LSS可用作理想的背靠背配置开关，配合N沟道MOSFET实现双向阻断与软启动功能，防止电流冲击和电压反弹。其小型化的DFN封装非常适合高密度主板设计，节省宝贵的PCB面积。
　　工业领域中，该器件可用于传感器供电控制、LED驱动电路以及低功耗微控制器外围电源管理单元。由于其宽泛的工作温度范围和高可靠性，也能适应较为恶劣的环境条件。总之，凡是在需要小型、高效、低压P沟道MOSFET的地方，DMG4413LSS都是一个极具竞争力的解决方案。

AO4413
　　FDMC8203
　　Si3456DV