时间：2025/12/26 11:53:43
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DMG4407SSS是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型化封装技术，适用于高密度电源管理应用。该器件基于先进的沟槽式MOSFET工艺制造，能够在低电压应用中提供卓越的性能表现，尤其是在便携式电子设备和电池供电系统中表现出色。其主要优势包括低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及良好的热稳定性，使其成为DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统中的理想选择。DMG4407SSS采用1.2mm x 1.2mm的微型SGT（Small Outline Transistor）封装，具备优异的散热性能和空间利用率，适合对尺寸敏感的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其出色的电气特性和封装优势，DMG4407SSS广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网终端以及其他需要高效能与小体积兼顾的电子系统中。
型号：DMG4407SSS
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDSS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)@25°C：9.8A
连续漏极电流(ID)@70°C：6.3A
脉冲漏极电流(IDM)：39A
导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：13mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：17mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=2.5V：23mΩ
阈值电压(Vth)@ID=250μA：1.0V ~ 1.8V
输入电容(Ciss)@VDS=15V：590pF
输出电容(Coss)@VDS=15V：170pF
反向传输电容(Crss)@VDS=15V：40pF
总栅极电荷(Qg)@VGS=10V, ID=5A：9nC
开启延迟时间(td(on))：6ns
上升时间(tr)：35ns
关断延迟时间(td(off))：24ns
下降时间(tf)：18ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装形式：SGT (1.2mm x 1.2mm)
DMG4407SSS采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅片设计，在保证高性能的同时实现了极低的导通电阻。其在VGS=10V时RDS(on)仅为13mΩ，而在更常见的4.5V驱动条件下仍能保持17mΩ的低阻值，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。这种低RDS(on)特性特别适用于大电流开关应用，如同步整流、电池充放电控制和高效率DC-DC变换器。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg=9nC），有助于减少驱动功耗并提升开关频率，从而支持更高频率的电源拓扑结构设计。
该MOSFET具备出色的热性能和机械可靠性。其SGT封装采用铜夹连接（copper clip）技术，增强了散热能力，使得即使在紧凑布局下也能有效传导热量，延长器件寿命。同时，小型化的1.2mm x 1.2mm封装极大节省了PCB空间，非常适合高度集成的移动设备和超薄电子产品。器件还内置了体二极管，具有较快的反向恢复特性，可在桥式电路或感性负载切换中提供可靠的续流路径。
在安全性和稳定性方面，DMG4407SSS具有±20V的栅源电压耐受能力，能够抵御一定程度的电压瞬变干扰，提升了系统的鲁棒性。其阈值电压范围为1.0V至1.8V，确保在低电压逻辑信号下也能可靠开启，兼容3.3V甚至更低的微控制器输出。此外，该器件的工作结温可达+150°C，具备良好的高温运行能力，适用于工业级和消费类宽温环境下的稳定工作。
DMG4407SSS广泛用于各类需要高效、小尺寸功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑的电池保护电路、USB电源开关、背光驱动以及多路电源分配系统。其低导通电阻和快速响应特性也使其适用于同步降压型DC-DC转换器的高端和低端开关元件，尤其在POL（Point-of-Load）电源架构中发挥重要作用。
在工业控制领域，该器件可用于小型电机驱动、继电器替代、LED照明调光电路以及传感器供电控制等场合。由于其良好的开关特性和热稳定性，也可作为热插拔控制器中的主开关使用，防止浪涌电流损坏系统。此外，在通信设备、网络模块和嵌入式系统中，DMG4407SSS常被用作负载开关以实现不同功能单元的独立上电与断电控制，提升能效并延长待机时间。
随着物联网设备和可穿戴技术的发展，对微型化和低功耗的需求日益增长，DMG4407SSS凭借其紧凑封装和优异电气性能，已成为许多新型智能设备电源设计的关键组件。无论是用于无线耳机的充电仓管理，还是健康监测设备的动态电源调节，该器件都能提供稳定可靠的功率控制解决方案。
AO4407A
SI4407BDY-T1-E3
FDS4407A
