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DMG3415U-7 发布时间 时间:2025/4/30 15:26:19 查看 阅读:4

DMG3415U-7 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适合在各种电源管理和功率转换应用中使用。其封装形式为 SOT23-3L,非常适合空间受限的设计场景。
  该 MOSFET 主要用于消费电子、通信设备和工业控制等领域,能够提供高效的功率切换性能。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻(典型值):16mΩ
  栅极电荷:3.6nC
  总电容:47pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

DMG3415U-7 的主要特点是低导通电阻和小封装尺寸,使其成为高效能设计的理想选择。此外,该器件还具有以下特点:
  1. 超低导通电阻 (Rds(on)),减少功率损耗。
  2. 快速开关特性,适用于高频应用。
  3. 高静电放电 (ESD) 防护能力,提高系统可靠性。
  4. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  5. 小型化封装 (SOT23-3L),节省 PCB 空间。

应用

DMG3415U-7 广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
  2. 直流-直流转换器中的功率开关。
  3. 电池供电设备中的负载开关。
  4. LED 驱动电路中的电流调节元件。
  5. 消费类电子产品中的保护电路及信号切换。
  6. 工业控制系统中的电机驱动与负载控制。

替代型号

DMG3416U-7, BSS138, SI2302DS

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DMG3415U-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds294pF @ 10V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMG3415UDITR