时间：2025/4/29 11:07:19
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DMG3413L-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用超小型 SOT323 封装，非常适合用于空间受限的应用场合。其低导通电阻和快速开关特性使其成为便携式设备、电池管理系统、负载开关以及电机驱动等应用的理想选择。
DMG3413L-7 的设计优化了性能与效率之间的平衡，在轻载条件下依然能够提供高效率的电流传输。同时，它具有出色的热稳定性，能够在较高的环境温度下正常工作。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（典型值）：95mΩ
栅极电荷：2.8nC
输入电容：65pF
开关速度：快速
封装类型：SOT323
DMG3413L-7 具有以下显著特性：
1. 超低导通电阻，降低了功率损耗并提高了系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频操作。
3. 小型化封装（SOT323），节省电路板空间。
4. 高可靠性设计，保证长期稳定运行。
5. 宽工作温度范围：-55°C 至 +150°C，适应各种严苛环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
DMG3413L-7 广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
2. 可穿戴设备的负载开关。
3. 电池保护电路及充电管理系统。
4. LED 驱动器和小型电机控制。
5. 数据通信设备中的信号切换。
6. 各类消费类电子产品中的低功耗解决方案。
DMG3415U-7, DMN2990UFKE-13, BSS138
