时间：2025/5/13 15:25:22
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DMG2307L-7 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，采用微型 SOT23-6 封装。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于各种便携式设备、负载开关、电池供电系统以及 DC-DC 转换器等应用。其低功耗和紧凑封装使其成为需要高效率和空间优化设计的理想选择。
DMG2307L-7 的栅极驱动电压范围较宽，能够适应从 1.8V 到 5.5V 的工作电压，非常适合现代电子系统的低电压操作需求。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：2.2A
导通电阻（典型值，Vgs=4.5V）：130mΩ
导通电阻（最大值，Vgs=4.5V）：160mΩ
栅极电荷（Qg）：4nC
总功耗：400mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻，可实现高效率开关操作。
2. 宽范围的栅极驱动电压（1.8V 至 5.5V），支持低电压逻辑电路直接驱动。
3. 快速开关性能，减少开关损耗。
4. 高静电放电（ESD）保护能力，提升器件可靠性。
5. 小尺寸 SOT23-6 封装，适合空间受限的应用场景。
6. 反向传输电容小，进一步优化开关性能。
1. 移动设备中的负载开关。
2. 电池供电系统的电源管理。
3. 消费类电子产品的 DC-DC 转换器。
4. 电机驱动与控制电路。
5. 信号切换与功率分配。
6. LED 照明驱动及保护电路。
DMG2305U-7
DMG2307U-7
DMG2308L-7
