类型：互补MOSFET（N+P Channel）
　　封装：SOT-363（SC-88）
　　漏源电压VDS（N沟道）：-20V
　　漏源电压VDS（P沟道）：20V
　　连续漏极电流ID（N沟道）：1.4A
　　连续漏极电流ID（P沟道）：-1.1A
　　栅源电压VGS：±8V
　　导通电阻RDS(on)（N沟道，VGS=4.5V）：75mΩ
　　导通电阻RDS(on)（P沟道，VGS=-4.5V）：95mΩ
　　导通电阻RDS(on)（N沟道，VGS=2.5V）：110mΩ
　　导通电阻RDS(on)（P沟道，VGS=-2.5V）：140mΩ
　　阈值电压Vth：±0.7V ~ ±1.5V
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　输入电容Ciss：130pF
　　功率耗散PD：350mW

DMG2305UX的突出特性之一是其低导通电阻性能，在N沟道和P沟道器件之间实现了良好的平衡，有助于减少开关损耗和传导损耗，从而提升整体系统效率。在VGS为4.5V时，N沟道的RDS(on)典型值仅为75mΩ，P沟道为95mΩ；即使在较低的栅极驱动电压如2.5V下，其导通电阻也保持在合理范围内（分别为110mΩ和140mΩ），这使其非常适合用于3.3V或2.5V逻辑电平直接驱动的应用场合，无需额外的电平转换电路。
　　该器件采用SOT-363六引脚小尺寸封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的散热能力，适用于高密度布局的便携式电子产品，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等。此外，其互补结构允许构建对称的开关电路，比如用于双向模拟开关、电源多路复用器或半桥拓扑结构中，确保正负向导通压降一致，提高了信号完整性与系统可靠性。
　　DMG2305UX具有较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在恶劣环境条件下稳定运行，并通过了JEDEC标准的可靠性测试。其栅极氧化层耐压达±8V，提供一定的过压保护能力，同时阈值电压范围适中（±0.7V~±1.5V），避免因噪声干扰导致误开启。输入电容较低（Ciss约130pF），有利于实现快速开关响应，降低动态功耗，特别适用于高频切换应用。总体而言，这款双MOSFET组合在性能、尺寸和成本之间取得了良好平衡，是中小功率模拟与数字开关设计的理想选择。

DMG2305UX广泛应用于各类低电压、低功耗电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电源路径管理，例如在主电池与备用电源之间进行自动切换，或作为负载开关控制特定模块的供电通断，以实现节能待机模式。它也可用于USB接口或其他通信端口的热插拔保护电路中，防止浪涌电流损坏主控芯片。
　　在信号路由方面，该器件可用于音频通道选择、传感器信号切换或多路数据总线隔离，利用其低导通电阻和对称特性保证信号衰减最小化。此外，在DC-DC转换器或LDO使能控制电路中，可用作外部使能开关来精确控制电源输出启停。
　　由于其互补结构，DMG2305UX还可用于构建简单的推挽输出级或半桥驱动电路，适用于驱动小型电机、继电器或LED背光模块。在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电路径的主动控制，配合控制器实现双向电流检测与保护功能。另外，因其封装小巧且支持回流焊工艺，特别适合消费类电子产品的大批量自动化生产需求。

DMC2038LUDT1G
　　FDG6302P
　　FDMQ3403