时间：2025/6/29 4:23:16
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DMG2302UQ是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET，采用超小型DFN1006-2（SOT883）封装。该器件设计用于低电压和低功耗应用场合，具备出色的导通电阻（Rds(on)）性能以及快速开关能力。由于其紧凑的封装尺寸和卓越的电气特性，DMG2302UQ非常适合便携式电子设备、负载开关、电池管理以及其它对空间敏感的应用场景。
这款MOSFET支持高达20V的漏源极电压，并且在较低的栅极驱动电压下能够实现高效的导通，从而降低功率损耗并提升系统效率。
最大漏源电压(V_DS)：20V
连续漏电流(I_D)：750mA
导通电阻(R_DS(on))：1.4Ω（在Vgs=2.5V时）
栅极电荷(Q_g)：2nC
总功耗(P_TOT)：130mW
工作结温范围(T_J)：-55℃至150℃
DMG2302UQ具有非常低的导通电阻，即使在较低的栅极驱动电压下也能保持高效运作。这使得它成为低压系统的理想选择，例如锂电池供电的便携式设备。
此外，该器件采用先进的制造工艺，在保证高性能的同时实现了更小的封装体积。DFN1006-2封装仅有1.0mm x 0.6mm大小，厚度仅为0.35mm，极大地节省了PCB空间。
DMG2302UQ还具备优异的热稳定性与可靠的电气性能，能够在较宽的工作温度范围内正常运行，确保长期使用的稳定性和安全性。
快速开关速度进一步降低了开关损耗，提高了整体效率，适用于高速切换环境下的各种应用。
DMG2302UQ广泛应用于消费类电子产品领域，典型应用场景包括：
1. 手机和平板电脑中的负载开关
2. 可穿戴设备的电源管理
3. USB端口保护及控制
4. 电池供电的小型电子产品
5. 轻载DC/DC转换器
6. 信号切换与隔离电路
由于其低导通电阻和小尺寸特点，DMG2302UQ也适用于任何需要节省空间和减少功耗的设计方案。
DMG2305UQ
DMG2306UQ
BSA076N06LSG
