时间：2025/6/23 22:25:23
阅读：4
DMG2302UK-7 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合在各种电源管理应用中使用。它广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
这款 MOSFET 使用了微型封装技术（DFN1010-2），使其非常适合空间受限的设计。其出色的电气性能使得 DMG2302UK-7 成为高效功率转换的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：2.9A
导通电阻（典型值）：65mΩ
栅极电荷：3.5nC
输入电容：145pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMG2302UK-7 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功耗并提高效率。
2. 高速开关性能，确保在高频应用中的卓越表现。
3. 小型 DFN1010-2 封装，节省 PCB 空间。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 提供优异的热稳定性和可靠性，适应严苛的工作环境。
6. 内置 ESD 保护，增强器件的抗静电能力。
DMG2302UK-7 的典型应用包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 电机驱动电路。
5. 便携式电子设备中的电源管理模块。
6. 各种需要高效功率开关的应用场景。
DMG2305UX-7, BSS138, FDN340P
