时间：2025/5/7 15:13:59
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DMG1013T 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 Diodes Incorporated 公司的 DMG 系列。该器件采用超小型封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合应用于便携式设备、消费类电子产品及工业控制领域中的负载开关、同步整流器和 DC-DC 转换器。
DMG1013T 的主要设计目标是提供高效能表现和节省空间的优势，其出色的电气性能确保了在高频工作条件下的稳定性和效率。
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：2.4A
导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（典型值，在 VGS=4.5V 下测量）
栅极电荷（Qg）：10nC
开关时间：典型开启时间 t_on = 9ns，典型关闭时间 t_off = 8ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
DMG1013T 具有以下关键特性：
1. 高效的低导通电阻 (RDS(on))，在高电流应用中减少了功率损耗。
2. 快速的开关速度使得它非常适合高频电路应用。
3. 小尺寸封装（SOT363/SC-70），能够显著节省 PCB 布局空间。
4. 内置 ESD 保护功能，提升了器件在恶劣环境下的可靠性。
5. 工作温度范围宽广，适用于各种极端温度环境的应用场景。
DMG1013T 广泛用于以下应用领域：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的电源管理模块。
2. 同步整流电路中的开关元件。
3. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
4. 负载开关，用于快速切换不同电路状态。
5. 电池保护电路中的关键组件，实现过流保护功能。
DMG1014U,
DMG1014KQ,
DMG1014LQ,
DMG1014SQ
