时间：2025/12/26 3:40:23
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DMG1013T-7是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件设计用于低电压开关应用，具有较低的导通电阻和栅极电荷，能够实现高效的功率转换和快速的开关响应。由于其紧凑的封装和优良的电气性能，DMG1013T-7广泛应用于电池供电设备、负载开关、电源管理电路以及信号切换等场合。该MOSFET符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业级温度范围内工作。
类型：P沟道增强型MOSFET
封装/包装：SOT-23
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：-1.9A（@ VGS = -4.5V）
脉冲漏极电流（IDM）：-4.8A
导通电阻RDS(on)：65mΩ（@ VGS = -4.5V）
导通电阻RDS(on)：85mΩ（@ VGS = -2.5V）
阈值电压（VGS(th)）：-0.5V ~ -1V（@ ID = -250μA）
输入电容（Ciss）：270pF（@ VDS = 10V）
开关时间（开启）：6ns
开关时间（关断）：17ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C（TJ）
功耗（PD）：300mW
DMG1013T-7具备出色的导通性能和开关速度，使其在低功耗和高效率的应用中表现出色。其最大-20V的漏源电压和-1.9A的连续漏极电流能力，足以满足大多数便携式电子产品的需求。该器件在VGS = -4.5V时的典型RDS(on)仅为65mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统能效。此外，在更低的驱动电压如-2.5V下仍能保持85mΩ的低导通电阻，增强了其在低压逻辑控制环境中的适用性，例如与3.3V或更低电压的微控制器直接接口而无需额外电平转换电路。
该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为5nC，有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，从而降低动态损耗，特别适合高频开关操作场景。输入电容为270pF，在同类产品中处于较低水平，有利于提升高频响应能力。其快速的开启时间（6ns）和关断时间（17ns）进一步支持了高速开关应用，例如同步整流或DC-DC转换器中的上桥臂开关。
SOT-23封装不仅体积小巧（约2.9mm × 1.3mm），便于在高密度PCB布局中使用，而且具备良好的散热性能，通过合理的PCB布线可有效将热量传导至地平面。器件符合JEDEC标准的焊接规范，支持回流焊工艺，适用于自动化生产流程。此外，DMG1013T-7具有-55°C至+150°C的工作结温范围，确保其在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围模块及消费类电子产品等多种应用场景。
DMG1013T-7常用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型应用包括便携式设备中的电池电源管理，作为负载开关用于控制不同功能模块的供电通断，以降低待机功耗；在DC-DC降压或升压转换器中作为高端开关元件，配合控制器实现高效的电压调节；也可用于H桥驱动电路中作为P沟道上管，简化栅极驱动设计。此外，该器件适用于各类信号切换电路，例如音频路径选择、数据线切换或多路复用控制。
在移动设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，DMG1013T-7可用于背光LED驱动、SIM卡电源控制或传感器电源门控等场景。由于其支持低电压驱动，能够直接由数字IC输出引脚控制，因此也广泛用于GPIO扩展后的功率驱动环节。在工业领域，可用于PLC模块中的小功率继电器驱动或传感器电源隔离。同时，因其具备良好的温度稳定性，也可部署于汽车电子中的车载娱乐系统、仪表盘显示模块或车身控制单元内的低边开关应用中。
DMG1014U-7
DMG1015L-7
AO3401A
FDS6679
