时间：2025/8/21 16:55:14
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DMF2184是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理和负载开关等场合。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(ON)）和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
类型：MOSFET
通道类型：双N沟道
最大漏极电压（VDSS）：30V
最大源极电压（VSSD）：30V
最大连续漏极电流（ID）：6.5A（每个通道）
导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ（典型值，VGS=4.5V）
栅极电荷（Qg）：12nC（典型值）
封装类型：TSOP
工作温度范围：-55°C至150°C
DMF2184采用了先进的Trench MOSFET工艺，确保了器件在高频开关应用中的高性能表现。其低导通电阻（RDS(ON)）不仅减少了导通状态下的功率损耗，还提高了系统的整体效率。该器件的双N沟道结构使其适用于同步整流、电源转换和负载开关等多种应用，特别是在需要双向电流控制的场景中表现出色。此外，DMF2184的封装设计有助于提高散热效率，确保在高电流条件下依然保持稳定的工作温度。该器件还具备良好的热稳定性，能够在极端工作环境下提供可靠的性能。DMF2184的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适合在工业和汽车电子等严苛环境中使用。
DMF2184广泛应用于各种电源管理系统、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关电路、电机控制以及便携式电子设备中。其双N沟道结构和低导通电阻特性使其在同步整流和高效能电源转换中表现优异，同时也适用于需要高电流承载能力和高可靠性的汽车电子系统。
DMF2184WTC, DMF2184T, DMF2184WTCG
