类型：功率MOSFET
　　通道类型：双N沟道增强型
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A（单通道）
　　漏极电流峰值（Idm）：13A
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs = 4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT26 / SOT23-6

DMF2077采用了先进的Trench沟槽技术，使其具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其双N沟道MOSFET结构设计允许在同一封装内实现两个独立的MOSFET单元，适用于同步整流、双向开关等需要两个MOSFET协同工作的电路结构。
　　该器件的栅极驱动电压范围为±8V，适合与多种驱动IC配合使用，支持4.5V至更低的Vgs驱动电压，使其适用于低压应用（如3.3V或5V系统）。DMF2077具有较高的电流承载能力，每个MOSFET通道的连续漏极电流可达4.4A，峰值电流可达13A，适合中高功率应用场景。
　　此外，DMF2077的封装形式为SOT26或SOT23-6，具有良好的热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。该器件还具备低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss），有助于减少开关损耗并提高开关速度，适用于高频DC-DC转换器和负载开关设计。
　　由于其出色的热稳定性与电气性能，DMF2077可在宽温度范围内稳定运行，适用于工业级和消费类电子设备。

DMF2077广泛应用于电源管理和功率控制电路中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、H桥马达驱动、电池管理系统（BMS）以及便携式电子产品中的电源管理模块。由于其双N沟道结构，该器件也常用于需要两个MOSFET配合工作的同步整流拓扑，如反激式电源、Buck转换器等。此外，DMF2077也适用于智能功率模块、LED驱动电路以及各类需要高效、低功耗MOSFET的系统设计。

DMF2078, DMF2088, DMN2038, DMN2075