类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：-6A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：-30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS = -10V，32mΩ @ VGS = -4.5V
　　栅极电荷（Qg）：10nC
　　功耗（PD）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：SOT26

DME3927-000 具备多项优异的电气和物理特性，适用于各种电源管理应用。首先，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得导通电阻（RDS(on)）非常低，在 VGS = -10V 时仅为 22mΩ，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，在较低的栅极电压（如 -4.5V）下，其 RDS(on) 仍保持在 32mΩ，这使得该器件能够在微控制器或其他低电压驱动电路中直接使用，无需额外的栅极驱动器。
　　其次，DME3927-000 的最大漏极电流为 -6A，漏极-源极耐压为 -30V，能够满足中等功率应用的需求，例如 DC-DC 转换器、电池充电/放电管理系统、热插拔电路等。其较高的栅极-源极耐压（±20V）也提高了器件在复杂工作环境中的稳定性和可靠性。
　　再者，该 MOSFET 的封装形式为 SOT26，是一种小型化的表面贴装封装，适合用于空间受限的设计。其功耗为 1.5W，能够在高负载条件下保持稳定运行，同时具备良好的热稳定性。此外，DME3927-000 的工作温度范围宽，从 -55°C 到 150°C，适用于工业级和汽车电子应用。
　　综合来看，DME3927-000 凭借其低导通电阻、高耐压能力、小封装尺寸和宽工作温度范围，成为一款适用于多种电源管理和负载控制场景的高性能 P 沟道 MOSFET。

DME3927-000 适用于多种低电压、中等功率的电源管理与控制应用。其主要应用场景包括电池供电设备中的电源开关，如便携式电子产品、智能穿戴设备和手持仪器。由于其低导通电阻和低栅极驱动电压需求，该器件也广泛用于 DC-DC 转换器中的同步整流器，有助于提升电源转换效率。
　　此外，DME3927-000 适用于负载开关电路，用于控制电机、LED 阵列或其它负载的开启与关闭，提供快速响应和高效的功率控制。在工业控制系统中，它也可用于继电器替代、热插拔保护和电源管理模块。
　　在汽车电子领域，DME3927-000 可用于车身控制模块（BCM）、车灯控制、车载充电器等应用，满足对可靠性和稳定性的高要求。同时，由于其宽工作温度范围和良好的热稳定性，该器件也能在极端环境条件下保持正常工作。

Si4435BDY, AO4407A, FDC6330L, NTR4502P