时间：2025/8/21 12:54:22
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DME2830 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于负载开关、电源管理以及 DC-DC 转换器等应用。该器件采用了先进的沟槽技术，能够在较低的导通电阻（RDS(on)）下工作，从而降低功率损耗并提高系统效率。DME2830 通常采用小型 SOT26 或 SOT323 封装，适合空间受限的便携式电子产品。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：-4A
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS = -4.5V；40mΩ @ VGS = -2.5V
功耗（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：SOT26、SOT323
DME2830 MOSFET 具备多项优良特性，首先是其低导通电阻，这使得在高电流工作状态下，功率损耗显著降低，提高了系统的整体效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从 -2.5V 到 -4.5V 的工作电压，适合多种电源管理应用。此外，其采用的小型封装形式（SOT26 或 SOT323）使得在便携式设备中的集成更加容易。
DME2830 还具备良好的热稳定性与过温保护能力，在高负载条件下依然能够保持稳定工作。该器件的快速开关特性也有助于提高电源转换效率，减少开关损耗。同时，其低漏电流和高可靠性也使其适用于电池供电设备，有助于延长电池寿命并提高系统稳定性。
DME2830 常用于多种电源管理和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备中的负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电池充电管理电路以及电源多路复用器。此外，该器件也广泛应用于工业控制系统、消费类电子产品和通信设备中，作为高效的功率开关元件。其优异的导通性能和小型封装特性，使其成为对空间和能效有较高要求的设计方案中的理想选择。
Si2302DS、IRML2803、DMG2830SS、AO4406A
